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三星電子突破1c納米DRAM工藝瓶頸，良率達(dá)70%即將量產(chǎn)

三星電子突破1c納米DRAM工藝瓶頸，良率達(dá)70%即將量產(chǎn)

來(lái)源：本站時(shí)間：2025-07-01瀏覽數(shù)：

7 月 1 日消息，綜合韓媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 報(bào)道，三星電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日下午對(duì)其第六代 10nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存工藝 1c 納米授予生產(chǎn)準(zhǔn)備批準(zhǔn) (PRA)。這標(biāo)志著三星完成 1c nm 內(nèi)存開(kāi)發(fā)，準(zhǔn)備向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移。三星電子的 HBM4 12Hi 內(nèi)存將使用 1c nm DRAM Die，可以說(shuō)該內(nèi)存…

7 月 1 日消息，綜合韓媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 報(bào)道，三星電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日下午對(duì)其第六代 10nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存工藝 1c 納米授予生產(chǎn)準(zhǔn)備批準(zhǔn) (PRA)。這標(biāo)志著三星完成 1c nm 內(nèi)存開(kāi)發(fā)，準(zhǔn)備向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移。


三星電子的 HBM4 12Hi 內(nèi)存將使用 1c nm DRAM Die，可以說(shuō)該內(nèi)存工藝的表現(xiàn)在很大程度上影響了 DS 部門(mén)存儲(chǔ)器事業(yè)部未來(lái) 1~2 年的營(yíng)收表現(xiàn)。

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而在三星電子之前，SK 海力士和美光也都完成了第六代 20~10nm 制程 DRAM 的開(kāi)發(fā)，三大內(nèi)存原廠向 10nm 關(guān)口更近了一步。

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