據(jù)最新消息，韓媒 kedglobal 昨日（6 月 10 日）發(fā)布博文，報道稱美光領先三星和 SK 海力士，成為英偉達下一代內(nèi)存解決方案 SOCAMM 的首個供應商。SOCAMM 全稱 Small Outline Compression Attached Memory Module，即外形更為小巧的 CAMM 壓縮附加內(nèi)存模組，目前的 SOCAM…
據(jù)最新消息，韓媒 kedglobal 昨日（6 月 10 日）發(fā)布博文，報道稱美光領先三星和 SK 海力士，成為英偉達下一代內(nèi)存解決方案 SOCAMM 的首個供應商。
SOCAMM 全稱 Small Outline Compression Attached Memory Module，即外形更為小巧的 CAMM 壓縮附加內(nèi)存模組，目前的 SOCAMM 基于 LPDDR5X DRAM 顆粒。
和此前的 LPCAMM2 類似，SOCAMM 目前同樣也是單面四顆粒焊盤、三固定螺絲孔的設計。不過與 LPCAMM2 存在差異的是，SOCAMM 的頂部無凸出的梯形結(jié)構(gòu)，這降低了整體高度，更適合服務器的安裝環(huán)境和液體冷卻。
SOCAMM 的外形尺寸為 90mm×14mm，采用 128bit 位寬；美光展示的產(chǎn)品基于 4 顆 16 芯堆疊的 16Gb DRAM，整體容量達到 128GB，支持 8533 MT/s。
英偉達曾委托三星、SK 海力士和美光三家內(nèi)存巨頭開發(fā) SOCAMM 原型，但美光率先通過認證。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，美光的 LPDDR5X 芯片比競爭對手節(jié)能 20%，這成為英偉達選擇的重要原因。
美光在散熱管理上的創(chuàng)新得益于其對架構(gòu)設計的專注，而非單純依賴極紫外光刻（EUV）技術提升密度和良率。
美光正通過大規(guī)模投資鞏固其地位。今年公司承諾投入 140 億美元用于資本支出，包括在新加坡、日本和紐約州新建 HBM 工廠。一位行業(yè)高管表示，這一激進投資暗示美光可能已與主要超大規(guī)?？蛻艉炗嗛L期供應合同。
未來展望
美光計劃推出HBM4，性能較HBM3E提升50%以上，持續(xù)鞏固其在AI內(nèi)存市場的領導地位。隨著AI算力需求激增，SOCAMM和HBM3E將成為數(shù)據(jù)中心、自動駕駛及邊緣AI的核心組件，而美光的先發(fā)優(yōu)勢將使其在競爭中占據(jù)主動。
此次合作標志著AI存儲技術進入新階段，美光與英偉達的強強聯(lián)合，將推動下一代高性能計算的發(fā)展。
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