FGB5056G2-F085是一款560V N 溝道點火 IGBT，用于 PTC 加熱器和大電流系統(tǒng)應用。該器件由（onsemi）生產(chǎn)，具有以下規(guī)格：
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：560 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 10V，50A
功率 - 最大值：300 W
開關(guān)能量：-
輸入類型：邏輯
柵極電荷：39 nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：-
測試條件：-
反向恢復時間 (trr)：7 μs
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等級：汽車級
資質(zhì)：AEC-Q101
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：D2PAK
目標應用
? PTC 加熱器電路
? 大電流系統(tǒng)
? 點火系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NXVF6532M3TG01
NXVF6532M3TG01是一款用于 OBC 的650 V、SiC 功率模塊，由（onsemi）生產(chǎn)。該模塊的導通電阻為32mΩ，具有溫度感應功能，熱阻最低，適用于 xEV 中的 DC-DC 和車載充電器。主要特征? 帶 Al2O3 DBC 的 650 V 32 m SiC MOSFET 模塊? 帶 SIP 的 H 橋，用于車載充電器 （OBC…
FGB5065G2-F085
FGB5065G2-F085是一款 IGBT 器件，由（onsemi）生產(chǎn)，具有以下關(guān)鍵參數(shù)：IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：78 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 10V，50A功率 - 最大值：300 W開關(guān)能量：-輸入類型：邏輯柵極電荷…
NVTFS015P03P8Z
NVTFS015P03P8Z是一款由（onsemi）推出的汽車級功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引線封裝，專為緊湊高效的設計而設計，具有高熱性能。可濕性側(cè)面選項可用于增強光學檢查。NVTFS015P03P8Z符合 AEC-Q101 標準，適用于汽車應用。技術(shù)規(guī)格FET 類型：P 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化…
NVMFS2D3P04M8L
NVMFS2D3P04M8L 器件是一款由（onsemi）生產(chǎn)的功率MOSFET ，屬于P溝道類型，采用 DFN5 封裝，具有-40 V的漏源電壓和-222 A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導通電阻為2.2mΩ，工作溫度范圍為-55℃至+175℃，適用于汽車電子。關(guān)鍵規(guī)格FET 類型：P 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化…
NTHL040N65S3HF
NTHL040N65S3HF 是一款由（onsemi）生產(chǎn)的功率MOSFET ，屬于N溝道類型，采用 SUPERFET III 和 FRFET 技術(shù)，具有650V的漏源電壓和65A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導通電阻為40mΩ，工作溫度范圍為-55℃至+150℃，適用于各種高功率應用場景?。NTHL040N65S3HF具有以下關(guān)鍵…
NTH4L040N65S3F
NTH4L040N65S3F是一款由（onsemi）制造的650 V，65 A功率MOSFET，利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導通電阻，以及更低門極電荷方面的卓越性能。此先進技術(shù)專用于最大程度降低導電損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并且可以承受極端 dv/dt 速率。因此，NTH4L040N65S3F SUPERFET III…電話咨詢：86-755-83294757
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