商品名稱:SRAM 存儲器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TSOP-48
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY7S1061GE30-10ZXI 是一款高性能 CMOS 快速靜態(tài) RAM,按 16 位組織為 1,048,576 字。該器件具有快速存取時間(10 ns)和獨(dú)特的超低功耗深度睡眠模式。CY7S1061GE30-10ZXI 器件的睡眠模式電流低至 45 μA,在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選項中結(jié)合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。該器件還具有嵌入式 ECC 功能。ECC 邏輯可檢測并糾正訪問位置中的單位錯誤。CY7S1061GE30-10ZXI 器件包含一個ERR 引腳,可在讀取周期內(nèi)發(fā)出錯誤檢測和糾正事件信號。
CY7S1061GE30-10ZXI 的特點
高速
tAA = 10 ns
超低功耗 PowerSnooze? 器件
深度睡眠 (DS) 電流 IDS = 45 μA 最大值
低活動和待機(jī)電流
ICC = 90-mA 典型值
ISB2 = 20-mA 典型值
寬工作電壓范圍: 1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和 4.5 V 至 5.5 V
嵌入式糾錯碼 (ECC),用于單位糾錯
1.0 V 數(shù)據(jù)保持
晶體管晶體管邏輯 (TTL) 兼容輸入和輸出
錯誤指示 (ERR) 引腳,用于指示 1 位錯誤檢測和糾正
提供無鉛和錫/鉛 48 球 VFBGA 封裝
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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DD89N12K整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 壓力觸點技術(shù)相位控制模塊,使用隔離銅底板。電話咨詢:86-755-83294757
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