商品名稱:?jiǎn)味O管
品牌:IXYS
年份:25+
封裝:TO-247-2
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:15000 件
DSI45-16A是一款高性能肖特基二極管,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有低正向壓降、高開關(guān)速度和低反向漏電流等特點(diǎn),適用于各種高頻、高效率的電源應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性(DSI45-16A)
制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: 整流器
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247
Vr - 反向電壓 : 1.6 kV
If - 正向電流: 45 A
類型: Standard Recovery Rectifier
配置: Single
Vf - 正向電壓: 1.18 V
最大浪涌電流: 475 A
Ir - 反向電流 : 20 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
產(chǎn)品應(yīng)用(DSI45-16A)
開關(guān)電源 (SMPS)
直流-直流轉(zhuǎn)換器 (DC-DC Converter)
極性保護(hù)
高頻整流
其他高頻、高效率的電源應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFH150N20T
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)FET類型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):200 V持續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻, 最小導(dǎo)通電阻):10V導(dǎo)通電阻(最大) @ Id, Vgs:15mΩ @ 75A, 10V閾值…IXFH150N17T2
IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻,最小導(dǎo)通電阻):10V導(dǎo)通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。IXYP50N65C3
IXYP50N65C3:650V,用于 20-60kHz 開關(guān)的極光穿透 IGBT晶體管,TO-220-3IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220-3安裝風(fēng)格: Through Hole 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V 集電極—射極飽和電壓: 2.1 …IXYH80N90C3
IXYH80N90C3:900V,165A,用于 20-50 kHz 開關(guān)的高速 IGBT晶體管,TO-247-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IXYH80N90C3封裝:TO-247-3類型:IGBT 晶體管IXYH80N90C3 產(chǎn)品屬性:系列:GenX3?, XPT?電壓 - 集射極擊穿(最大值):900 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):165 A電流 - 集電…IXTA26P20P
IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專利 Polar? 工藝制造,P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,TO-263(DPak-3L)表面貼裝封裝電話咨詢:86-755-83294757
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