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IPTC039N15NM5ATMA1器件是一款设计符合提升系统效率需求的 150V OptiMOS™ 5功率MOSFET。该产品采用新型硅技术，经优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。相较于其他备选器件，该MOSFET的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。典型应用包括计算领域中的服务器、数据通信和客户端应用，还可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。

产品规格：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），190A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.9 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.6V @ 243µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：93 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7300 pF @ 75 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），319W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-HDSOP-16-2

封装/外壳：16-PowerSOP 模块

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。