商品名称：IPT015N10NF2SATMA1
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：PG-HSOF-8
货期：全新原装
库存数量：3000 件
IPT015N10NF2SATMA1（100V）StrongIRFET™ 2功率MOSFET是N沟道、正常电平、100%经过雪崩测试的MOSFET。Infineon StrongIRFET 2 MOSFET优化用于各种应用。
产品规格：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），315A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：242 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11000 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），300W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-8
封装/外壳：8-PowerSFN
型号
品牌
封装
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描述
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