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IRFH5215TRPBF 器件是一款采用 PQFN 5x6 封裝的 150V 單通道 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET。該系列針對低 RDS（on） 和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應用。全面的產品組合適用于廣泛的應用，包括直流電機、電池管理系統(tǒng)、逆變器和 DC-DC 轉換器。

IRFH5215TRPBF 的規(guī)格：

產品種類：MOSFET

技術：Si

安裝風格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：PQFN-8

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：150 V

Id-連續(xù)漏極電流：27 A

Rds On-漏源導通電阻：58 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5 V

Qg-柵極電荷：21 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 150°C

Pd-功率耗散：3.6 W

通道模式：Enhancement

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

封裝：MouseReel

商標：Infineon Technologies

配置：Single

下降時間：2.9 ns

正向跨導 - 最小值：21 S

高度：0.83 mm

長度：6 mm

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