商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:20000 件
BSC026N08NS5 OptiMOS? 5 80 V 功率 MOSFET 專為電信和服務(wù)器電源的同步整流而設(shè)計(jì)。此外,該器件還可用于太陽(yáng)能、低壓驅(qū)動(dòng)和適配器等其他工業(yè)應(yīng)用。OptiMOS? 5 80 V MOSFET 采用七種不同的封裝,具有業(yè)界最低的 RDS(on)。此外,與上一代產(chǎn)品相比,OptiMOS? 5 80 V 的 RDS(on) 降低了 43%。
BSC026N08NS5 特征
針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化
非常適合高開(kāi)關(guān)頻率
輸出電容降低高達(dá) 44%
RDS(on) 降低高達(dá) 43%
BSC026N08NS5 規(guī)格
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :23A(Ta),100A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 2.6 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) :3.8V @ 115μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 92 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 6800 pF @ 40 V
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),156W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TDSON-8-6
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
BSC026N08NS5潛在應(yīng)用
通信
服務(wù)器
太陽(yáng)能
低壓驅(qū)動(dòng)器
輕型電動(dòng)車
適配器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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