商品名稱:SCTH35N65G2V-7
數(shù)據(jù)手冊(cè):SCTH35N65G2V-7.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:H2PAK-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
SCTH35N65G2V-7 650V 碳化硅 (SiC) MOSFET具有67m?(典型值)和 45A(額定值)特性,采用H2PAK-7封裝。該器件具有極低的柵極電荷和輸入電容、高速開關(guān)性能以及源極傳感引腳,可提高效率。應(yīng)用包括開關(guān)模式電源、直流/直流轉(zhuǎn)換器和工業(yè)電機(jī)控制。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):67毫歐 @ 20A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):73 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1370 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):208W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-7
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
基本產(chǎn)品編號(hào):SCTH35
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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