商品名稱:IXYH85N120A4
數(shù)據(jù)手冊(cè):IXYH85N120A4.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IXYH85N120A4 1200V XPT? GenX4? IGBT是采用XPT薄晶圓技術(shù)的第四代溝槽IGBT。該超低功耗VSAT IGBT的晶體管的開關(guān)頻率高達(dá)5kHz,根據(jù)降低導(dǎo)通損耗的要求進(jìn)行優(yōu)化。此器件具有高功率密度和低柵極驅(qū)動(dòng)要求等優(yōu)勢(shì),工作溫度范圍為-55°C至175°C。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):300 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):520 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,85A
功率 - 最大值:1150 W
開關(guān)能量:4.9mJ(開),8.3mJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:200 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:40ns/400ns
測(cè)試條件:600V,60A,5歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):40 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-247(IXTH)
基本產(chǎn)品編號(hào):IXYH85
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFH150N20T
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)FET類型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):200 V持續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻, 最小導(dǎo)通電阻):10V導(dǎo)通電阻(最大) @ Id, Vgs:15mΩ @ 75A, 10V閾值…IXFH150N17T2
IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻,最小導(dǎo)通電阻):10V導(dǎo)通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。IXYP50N65C3
IXYP50N65C3:650V,用于 20-60kHz 開關(guān)的極光穿透 IGBT晶體管,TO-220-3IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220-3安裝風(fēng)格: Through Hole 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V 集電極—射極飽和電壓: 2.1 …IXYH80N90C3
IXYH80N90C3:900V,165A,用于 20-50 kHz 開關(guān)的高速 IGBT晶體管,TO-247-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IXYH80N90C3封裝:TO-247-3類型:IGBT 晶體管IXYH80N90C3 產(chǎn)品屬性:系列:GenX3?, XPT?電壓 - 集射極擊穿(最大值):900 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):165 A電流 - 集電…IXTA26P20P
IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專利 Polar? 工藝制造,P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,TO-263(DPak-3L)表面貼裝封裝電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接: