IAUMN04S7N006G是一款高性能 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET，专为要求苛刻的汽车应用而设计。该器件通过了超越 AEC-Q101 的扩展认证、增强的电气测试和坚固的设计，可确保在恶劣环境下可靠运行。它的工作温度范围为 -55 至 175°C，MSL2 峰值回流温度高达 260°C，并通过了 100% 雪崩测试，因此非常适合一般汽车应用。
特性
用于汽车应用的 OptiMOSTM 功率 MOSFET
N 沟道 - 增强模式 - 正常电平
超越 AEC-Q101 的扩展鉴定
增强型电气测试
稳健的设计
MSL2 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
符合 RoHS 规范
100% 雪崩测试
应用
汽车 BLDC 驱动器
分区结构开关
电池断开
配电
型号
品牌
封装
数量
描述
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