功率 MOSFET IQD005N04NM6CGSC 具有 0.47 mOhm 的低 RDS(on)，同时具有出色的热性能，便于管理功率损耗。中心栅基底面针对并行化进行了优化。此外，与包覆封装相比，双面冷却封装的耗散功率提高了五倍。
特性
最先进的 40 V 硅技术
出色的 FOM
改进的散热性能
超低寄生
最大化芯片/封装比
中心栅极基底面
行业标准封装
优势
最佳开关性能
传导损耗最小
快速开关
降低电压过冲
提高最大电流能力
需要并联的器件更少
5x6 基底面上的 RDS(on)最低
易于热管理
规格
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 57A (Ta), 597A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.49 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V @ 1.449mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 163 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）： 3W（Ta），333W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
型号
品牌
封装
数量
描述
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