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ISC079N15NM6 - OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管，150V 正常电平，采用 SuperSO8 封装

ISC079N15NM6 - 产品属性： 

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.8A (Ta), 95A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.4mOhm @ 36A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 77µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2900 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）：3W (Ta), 165W (Tc)

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TDSON-8

封装/外壳：8-PowerTDFN

特性概述：

极低的 RDS(on)

FOMg 比 OptiMOS™ 5 低 20

150 V 时的业界最低 Qrr

与 OptiMOS™ 5 相比，二极管软性得到改善

+/-500 mV 的严格 Vgs(th) 分布

高雪崩坚固性

最大 Tj 为 175°C

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。