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IAUAN04S7N008是一款適用于汽車應用的40V、0.82m? N 溝道MOSFET，具有極低的導通電阻、較低的開關損耗和增強的耐用性。

英飛凌OptiMOS? 7為未來的汽車應用設定了新標準，與具有最小尺寸的創(chuàng)新、堅固的封裝相結合，可實現最高的功率效率、更低的開關損耗和更大的SOA。

IAUAN04S7N008（規(guī)格）

技術：Si

安裝風格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：HSOF-5

晶體管極性：N-Channel

通道數量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：40 V

Id-連續(xù)漏極電流：290 A

Rds On-漏源導通電阻：820 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V

Qg-柵極電荷：60 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：133 W

通道模式：Enhancement

商標名：OptiMOS

系列：OptiMOS 7

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

商標：Infineon Technologies

下降時間：12 ns

濕度敏感性：Yes

產品類型：MOSFET

上升時間：6 ns

工廠包裝數量：2000

子類別：MOSFETs

晶體管類型：OptiMOS Automotive Power MOSFET

典型關閉延遲時間：21 ns

典型接通延遲時間：9 ns

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