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IPDQ60T022S7是600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET，集成温度传感器，采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)，可提高结温感应精度。

IPDQ60T022S7产品属性：

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: HDSOP-22

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 90 A

Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 150 nC

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 416 W

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

系列: S7T

配置: Single

下降时间: 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 6 ns

工厂包装数量: 750

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 142 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

IPDQ60T022S7特征描述：

优化的性价比

专为低频开关量身定制

减少寄生源电感

无缝诊断

精确、快速的长期监控

大电流能力

增强保护

优化热器件利用率

尖端的顶部冷却封装

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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