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深圳市明佳达电子有限公司
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产品分类

集成电路（IC）

以太网 滑动开关 触觉开关 PCIe 桥接控制器 嵌入式 - 模块化系统 - SOM I²C总线开关 I³C 智能开关和扩展器 DDR5 寄存时钟驱动器 接口 - 触控驱动器 RS-232接口集成电路 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

可调谐滤波器 带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

LGA 插座连接器 压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器

传感器

电容式传感器 加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

嵌入式解决方案

首页 /集成电路（IC）/功率器件/碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs/碳化硅 MOSFET 单管
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：IMLT65R050M2H

商品名称：碳化硅 MOSFET 单管

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：PG-HDSOP-16

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IMLT65R050M2H
封装
PG-HDSOP-16
描述
碳化硅 MOSFET 单管 650V G2，采用TOLT封装

产品描述

IMLT65R050M2H是一款采用TOLT封装的CoolSiC™ 650V G2 MOSFET，可通过降低能耗来充分利用碳化硅的性能，从而在功率转换过程中实现更高效率。


Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET适用于各种功率半导体应用，如光伏、能量存储、电动汽车直流充电、电机驱动器和工业电源。配备CoolSiC G2的电动汽车用直流快速充电站与前几代产品相比，功耗降低了10%,同时实现更高的充电容量，且不影响外形尺寸。


特性

灵活的驱动电压，兼容双极驱动方案

基准栅极阈值电压VGS(th) =4.5V

即使在0V关断栅极电压下，也能防止寄生导通

超低开关损耗

在硬换向事件下，体二极管仍能可靠工作

.XT互连技术，实现同类最佳的散热性能


应用

SMPS

太阳能光伏逆变器

能量存储和电池形成

UPS

电动汽车充电基础设施

电机驱动器


相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

IMDQ75R025M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

70 A、CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET、25 mΩ

IMDQ75R007M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

222 A、CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET、7 mΩ

IMDQ75R060M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

30 A、CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET、60 mΩ

IMDQ75R004M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

357A、CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET、4 mΩ

AIMDQ75R016M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

CoolSiC™ 汽车级 MOSFET 750 V G2，采用 Q-DPAK 顶部冷却封装，16 mΩ

AIMDQ75R025M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

CoolSiC™ 汽车级 MOSFET 750 V G2，采用 Q-DPAK 顶部冷却封装，25 mΩ

AIMDQ75R060M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

CoolSiC™ 汽车级 MOSFET 750 V G2，采用 Q-DPAK 顶部冷却封装，60 mΩ

IMZ120R060M1H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET 晶体管、TO-247-4

G2R1000MT33J

Navitas

TO-263-7

3000

3300 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

LSIC1MO120G0025

Littelfuse

TO-247-4

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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INFINEON

INFINEON

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…

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