AIMBG75R060M1H是一款采用 TO263-7 封装的750 V、34A汽车类碳化硅MOSFET分立器件。此器件适用于电动汽车用高压DC-DC变换器和电动汽车车载电池充电器(OBC)。
Infineon CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。
规格
FET 类型：N 通道
技术：SiC
漏源电压（Vdss）：750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：34A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 11.1A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：779 pF @ 500 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：167W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7
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