商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Qorvo
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
UJ4SC075011K4S是一款750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET,采用TO-247-4L封裝。該SiC FET具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,非常適合開(kāi)關(guān)感性負(fù)載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。
規(guī)格
技術(shù):SiC
安裝風(fēng)格:通孔
封裝 / 箱體:TO-247-4
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:750 V
Id-連續(xù)漏極電流:104 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.5 V
Qg-柵極電荷:75 nC
最小工作溫度:- 55°C
最大工作溫度:+ 175°C
Pd-功率耗散:357 W
通道模式:Enhancement
系列:UJ4SC
配置:Single
下降時(shí)間:9 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:26 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:65 ns
典型接通延遲時(shí)間:19 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Qorvo總部位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州,匯聚30余年的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國(guó)具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…
RF5426TR13
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