NTHL099N60S5屬于SuperFET? V MOSFET Easy Drive 系列具有出色的開關性能,同時不會犧牲易用性和 EMI 問題,適用于硬開關和軟開關拓撲結構。
特性
? 650 V @ TJ= 150°C
? 典型值 RDS(on)= 79.2 m
? 100% 通過雪崩測試
? 無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
規(guī)范
系列: SuperFET? V
FET 類型: N 通道
技術: MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :33A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) :10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 99 毫歐 @ 13.5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4V @ 2.8mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 48 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 2500 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 184W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 通孔
供應商器件封裝: TO-247-3
應用
? 電信/服務器電源
? 電動汽車充電器/UPS/太陽能/工業(yè)電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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