AIMZHN120R020M1T - N 沟道 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：AIMZHN120R020M1T

商品名称：N 沟道 MOSFET

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：PG-TO247-4

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

INFINEON

型号

AIMZHN120R020M1T

封装

PG-TO247-4

描述

通孔 N 通道 1200 V 100A（Tc） 429W（Tc） PG-TO247-4-14

产品描述

AIMZHN120R020M1T 车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET具有更高的功率密度、更高效率和更高可靠性。该产品组合设有1200V SiC MOSFET，采用TO-247-3、TO-247-4和D2PAK-7封装，RDS(on)范围为8.7mΩ至160mΩ，ID在+25°C时为最大17A至205A。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 43A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.1V @ 13.7mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：82 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2667 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：429W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO247-4-14

封装/外壳：TO-247-4

应用

车载充电器和PFC

升压器和直流/直流转换器

辅助逆变器

常见问题

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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。