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商品名稱(chēng):FS770R08A6P2LB
數(shù)據(jù)手冊(cè):FS770R08A6P2LB.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IGBT模塊FS770R08A6P2LB 750V 450A 溝渠現(xiàn)場(chǎng)停止三相逆變器
產(chǎn)品介紹
FS770R08A6P2LB具有基準(zhǔn)的電流密度,結(jié)合短路的堅(jiān)固性和增加的阻斷電壓,可在惡劣的環(huán)境條件下實(shí)現(xiàn)可靠的變頻器運(yùn)行。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品狀態(tài):激活
IGBT類(lèi)型:溝槽現(xiàn)場(chǎng)停止
配置:三相逆變器
電壓-集電極發(fā)射器擊穿(最大):750 V
電流 - 集電極(Ic)(最大值):450 A
功率 - 最大:654 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:1.35V @ 15V, 450A
電流 - 集電極截止(最大):1 mA
輸入電容(Cies)@ Vce:80 nF @ 50 V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
功能特點(diǎn)
由于集成了安裝夾子,所以安裝很牢固
緊湊型設(shè)計(jì)
預(yù)先涂抹的熱界面材料
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
MODULE
2000
IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三相反相器 750 V 450 A 1053 W 底座安裝 AG-HYBRIDD-1
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…1EDI30I12MF
1EDI30I12MF是一款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于1200V的 IGBT 、 SiC 和 Si MOSFET 器件?。它屬于 EiceDRIVER? 1ED Compact 150mil家族 ,具有以下主要特性:EiceDRIVER? 緊湊型單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列適用于 600 V、650 V、1200 V IGBT、SiC 和 Si MOSFET電流隔離…1EDI20N12AF
1EDI20N12AF單通道EiceDRIVER? MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器IC是連接控制IC以及功能強(qiáng)大的MOSFET和GaN開(kāi)關(guān)器件的關(guān)鍵所在。該柵極驅(qū)動(dòng)器IC可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)高效率,并具有出色的功率密度和始終如一的系統(tǒng)穩(wěn)健性。特征? 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器? 用于 600 V/650 V/1200 V IGBT、MOSFET 和…1EDN6550B
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1EDB7275F是一款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路,屬于 EiceDRIVER? 產(chǎn)品系列。?該產(chǎn)品采用 DSO-8 150mil封裝 ,具有3 kVrms的輸入輸出隔離電壓額定值,適用于需要高系統(tǒng)級(jí)效率的快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用?。特征描述3 kVrms 磁電隔離符合UL 1577認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)300 V/ns共模瞬態(tài)抗擾性(CM…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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