STB16N90K5 超高电压（900V）N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDMESH K5技术设计而成，适用于需要出色功率密度和高效率的应用。
产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：330 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：29.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1027 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：190W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-263（D2PAK）
封装/外壳：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
型号
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封装
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