STHU36N60DM6AG 600V 汽车级N通道功率MOSFET是MDmesh™ DM6快速恢复二极管的组成部分。该款功率MOSFET具有极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及低RDS(on)，适用于要求极为苛刻的高效转换器，并且是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想之选。
产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1960 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：210W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
等级：汽车级
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：HU3PAK
封装/外壳：TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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描述
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