STH410N4F7-6AG STripFET F7 MOSFET采用增强型沟槽栅结构，开关速度更快、效率更高，可简化设计并降低设备尺寸和成本。低导通电阻与低开关损耗相结合降低了导通电阻，同时降低了内部电容和栅极电荷。
产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.1 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：141 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11500 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：365W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：H2PAK-6
封装/外壳：TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
型号
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