STO67N60M6 MDmesh功率MOSFET是一款快速恢复体二极管，将极低恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr) 与最有效的开关行为相结合。该功率MOSFET具有出色的开关性能、低栅极输入电阻以及更低的单位面积RDS (on)，非常适合用于LLC转换器和升压PFC转换器。
产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：54 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：72.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3400 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TOLL（HV）
封装/外壳：8-PowerSFN
基本产品编号：STO67
型号
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描述
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