商品名稱：NTTFD021N08C
數(shù)據(jù)手冊：
NTTFD021N08C.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：12-WQFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：10 件
NTTFD021N08C采用雙封裝，包含兩個專用 N 溝道 MOSFET。開關(guān)節(jié)點采用內(nèi)部連接，以便于同步降壓轉(zhuǎn)換器的安置和路由。同步降壓轉(zhuǎn)換器的安置和布線。控制 MOSFET（Q2）和同步 MOSFET（Q1）的設(shè)計旨在提供最佳的功率效率。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 N-通道（雙）
漏源電壓（Vdss）：80V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6A（Ta），24A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：21 毫歐 @ 7.8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 44μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：8.4nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：572pF @ 40V
功率 - 最大值：1.7W（Ta），26W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：12-PowerWQFN
供應(yīng)商器件封裝：12-WQFN（3.3x3.3）
應(yīng)用
● 計算
● 通信
● 通用負(fù)載點
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
NCV78902DE0R2G
NCV78902DE0R2G是一款專為汽車前照明系統(tǒng)設(shè)計的兩相升壓式 LED驅(qū)動器 ，支持遠(yuǎn)光燈、近光燈、日間行車燈（DRL）、轉(zhuǎn)向指示燈及霧燈等應(yīng)用。NCV78902DE0R2G驅(qū)動器設(shè)計用于支持大電流LED，與NCV78935（三通道降壓）或NCV78925（雙通道降壓）等降壓LED驅(qū)動器搭配使用，提供整…
NCP402045MNTWG
NCP402045MNTWG是一款在單一封裝中集成了MOSFET的驅(qū)動器，具有高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET。該元件優(yōu)化用于大電流直流-直流降壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。NCP402045MNTWG具有快速開關(guān)能力、低導(dǎo)通損耗和高集成度，有助于優(yōu)化系統(tǒng)效率，同時最大限度地減少熱管理問題。與分立元件解決方案…
NCP81567MNTXG
NCP81567MNTXG是一款雙軌六相加兩相降壓解決方案，針對Intel IMVP9.2 CPU進(jìn)行了優(yōu)化。多相導(dǎo)軌控制系統(tǒng)基于雙邊緣脈寬調(diào)制（PWM）技術(shù)，并結(jié)合了DCR電流檢測技術(shù)。這種組合可對動態(tài)負(fù)載事件做出超快的初始響應(yīng)，并降低系統(tǒng)成本。NCP81567MNTXG提供超低偏移電流監(jiān)控放大器…
NCP81418MNTXG
NCP81418MNTXG是一款高性能保險絲，設(shè)計用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)存儲和工業(yè)系統(tǒng)中 12V熱插拔應(yīng)用 。該器件采用0.65mΩ（極低）NMOS FET 和集成熱插拔控制器，全都裝在緊湊的 5mm 5mm LQFN32封裝中。特征高達(dá)80A峰值輸出電流，高達(dá)50A連續(xù)電流VIN工作電壓范圍：5V至18VVIN可達(dá)3…
NVBG050N170M1
onsemi 推出的 NVBG050N170M1碳化矽（SiCSiC）MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分，該系列專為快速開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。此MOSFET具有最大76mΩ（在20V最大RDS(ON) 、1700V漏極至源極電壓、50A漏極連續(xù)電流和超低柵極充電/電荷（典型 QG(tot) = 107nC）時）。關(guān)鍵特性…
NCN26000XMNTXG
NCN26000XMNTXG以太網(wǎng)芯片是符合IEEE 802.3cg合規(guī)的以太網(wǎng)收發(fā)器（PHY），設(shè)計用于工業(yè)多點以太網(wǎng)。NCN26000XMNTXG提供通過單個非屏蔽雙絞線傳輸和接收數(shù)據(jù)所需的所有物理層特性。NCN26000XMNTXG通過標(biāo)準(zhǔn)MII接口傳輸?shù)浆F(xiàn)有的半雙工10Mb/s功能以太網(wǎng)MAC控制器。關(guān)鍵特性符…電話咨詢：86-755-83294757
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