商品名稱:A1F25M12W2-F1
數(shù)據(jù)手冊:A1F25M12W2-F1.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
A1F25M12W2-F1該電源模塊采用帶 NTC 的 ACEPACK 1 模塊中的四組拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并集成了意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的碳化硅 MOSFET(以 gen.2 技術(shù)為代表)。這種模塊化解決方案可用于實(shí)現(xiàn)具有極高功率密度特點(diǎn)的復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以滿足最高效率要求。
產(chǎn)品屬性
技術(shù): 碳化硅(SiC)
配置: 4 個(gè) N 通道
FET 功能: 碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss): 1200V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :50A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 34 毫歐 @ 50A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 147nC @ 18V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 3500pF @ 800V
工作溫度: 175°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊
供應(yīng)商器件封裝: ACEPACK 1
應(yīng)用
? 直流/直流轉(zhuǎn)換器
? 高頻開關(guān)應(yīng)用
? 焊接
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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VND5E012MYTR
VND5E012MYTR是一款雙通道高端驅(qū)動(dòng)器,基于意法半導(dǎo)體VIPower M0-5技術(shù)制造,采用小型PowerSSO-36封裝。VND5E012MYTR設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)12 V汽車接地負(fù)載,提供保護(hù)、診斷以及與任何微控制器的3 V和5 V CMOS兼容接口。VND5E012MYTR集成了先進(jìn)的保護(hù)功能,如負(fù)載電流限制、通過功…TSL6804IPT
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STMicroelectronics 的 STGIPQ3H60T-HZ 是一款集成了控制和功率級的三相智能功率模塊(IPM),專為家電等領(lǐng)域的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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