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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價(jià)

操作

BSC093N15NS5

產(chǎn)品說明：150V，OptiMOS? N-通道功率 MOSFET 晶體管，PG-TDSON-8

封裝：PG-TDSON-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDW20G120C5B

產(chǎn)品說明：1200 V 碳化硅肖特基二極管，采用 TO-247-3 封裝

封裝：PG-TO247-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STL135N8F7AG
ST

產(chǎn)品說明：汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝

封裝：PowerFLAT? 5x6
10起
15000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STTH30RQ06GY
ST

產(chǎn)品說明：汽車級(jí)600 V、30 A超快軟恢復(fù)二極管

封裝：D2PAK
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STW40N95K5
ST

產(chǎn)品說明：N溝道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封裝

封裝：TO-247
10起
8000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FSBB20CH60C
ON

產(chǎn)品說明：功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 3 相 600 V 20 A 27-PowerDIP 模塊（1.205"，30.60mm）

封裝：DIP
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
VUO36-16NO8

產(chǎn)品說明：橋式整流器 Three Phase 標(biāo)準(zhǔn) 1.6 kV QC 端子 FO-B

封裝：FO-B-5
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD500N18KOF

產(chǎn)品說明：采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊，1800 V

封裝：BG-PB60AT-1
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD500N16KOF

產(chǎn)品說明：采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊，1600 V

封裝：BG-PB60AT-1
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD430N22KOF

產(chǎn)品說明：采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊，2200 V

封裝：BG-PB60AT-1
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD425N18KOF

產(chǎn)品說明：采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊，1800 V

封裝：BG-PB60AT-1
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD425N16KOF

產(chǎn)品說明：采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊，1600 V

封裝：BG-PB60AT-1
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD140N22KOF

產(chǎn)品說明：采用壓接式技術(shù)的34 mm晶閘管/二極管模塊，2200 V

封裝：BG-PB34-1
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD104N14KOFA

產(chǎn)品說明：采用壓接式技術(shù)的20 mm晶閘管/二極管模塊，1400 V

封裝：BG-PB20-1
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD60N16SOF

產(chǎn)品說明：采用焊接技術(shù)的20 mm晶閘管/二極管模塊，1600 V

封裝：BG-SB20-1
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TD390N18SOF

產(chǎn)品說明：采用焊接技術(shù)的50 mm晶閘管/二極管模塊，1800 V

封裝：BG-PB50SB-1
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共2572記錄?上一頁1234...161下一頁?
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